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Produktbeschreibung

Leiterplatten für MOSFETs und andere Leistungsbauteile müssen für hohe Ströme dimensioniert sein und die Wärme der Leistungsbauteile schnell abführen. Die Firma Häusermann hat eine Leiterplattentechnologie entwickelt, die genau darauf spezialisiert ist. HSMtec nutzt massive Kupferelemente, die im Leistungsteil der Schaltung in die Leiterplatte integriert werden.
Die 500 µm starken Kupferelemente lassen sich in jeder Lage eines Multilayers mit FR4-Material platzieren und werden in einem Ultraschallschweißverfahren mit den geätzten Leiterbildern des Logikteils elektrisch und thermisch verbunden. Die integrierten Kupferelemente stemmen Ströme bis 400 A. Zudem lässt sich die Hitzeentwicklung zügig auf zulässige Partial- und Systemtemperaturen drosseln. Ein Leiterplattenaufbau mit massiven Kupferprofilen für den Leistungsteil in Kombination mit Microvias und Thermovias bietet ein effizientes Entwärmungskonzept für MOSFETs, IGBTs und andere wärmegenerierende Leistungsbauteile. Ein weiteres Vorteil der Technologie: Hochstrom- und Steuerelektronik lassen sich auf nur einer Leiterplatte realisieren. Feinste Strukturen, welche für die Steuerelektronik notwendig sind, lassen sich einfach auf der gleichen Lage mit den Hochstromelementen einbetten.

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